بنیادی وضاحتیں
|
شمسی سیل کی قسم |
132 نصف کٹ ، این قسم ، HJT خلیات |
|
ماڈیول کے طول و عرض |
2384 × 1303 × 33 ملی میٹر/35 ملی میٹر |
|
ماڈیول وزن |
38.5 کلوگرام |
|
سامنے کی طرف |
اینٹی ریفلیکٹو لیپت شمسی گلاس ، 2۔ 0 ملی میٹر موٹا |
|
پچھلی طرف |
شمسی گلاس ، 2. 0 ملی میٹر موٹا |
|
فریم |
anodized ایلومینیم |
|
جنکشن باکس |
3 بائی پاس ڈایڈس ، آئی پی 68 کو آئی ای سی 62790 میں درجہ دیا گیا |
|
میکبل |
4 ملی میٹر ² پی وی کیبل ، 0. 3 میٹر لمبی (لمبائی کو اپنی مرضی کے مطابق بنایا جاسکتا ہے) ، EN کے ساتھ تعمیل کرتا ہے |
|
50618 کنیکٹر |
MC4 EVO2 ہم آہنگ |
مکینیکل آریگرام
تبصرہ: درخواست پر اپنی مرضی کے مطابق فریم رنگ اور کیبل کی لمبائی دستیاب ہے
مصنوعات کے فوائد
1. ایڈوانسڈ این ٹائپ بائفاسیل ایچ جے ٹی ٹکنالوجی
210 ملی میٹر ویفرز اور آدھے کٹ سیل ڈیزائن کا فائدہ اٹھاتے ہوئے ، یہ پینل اعلی روشنی جذب اور توانائی کے تبادلوں کی کارکردگی کے ل N N-TYPE BIFACIAL HJT ٹکنالوجی کو یکجا کرتا ہے۔ پتلی سلائس خلیوں کے ساتھ 18bb (بسبار) کی ترتیب داخلی مزاحمت کو کم کرتی ہے اور موجودہ مجموعہ کو بہتر بناتی ہے۔
2. انڈسٹری کی معروف طاقت اور کارکردگی
24.39 ٪ تک زیادہ سے زیادہ 800W اور ماڈیول کی کارکردگی کی بجلی کی پیداوار کے ساتھ ، یہ بے مثال توانائی کی کثافت فراہم کرتا ہے۔ جدید اسٹینسل پرنٹنگ کا عمل اور چاندی سے لیپت تانبے کے ربن کم سے کم بجلی کے نقصان کو یقینی بناتے ہوئے کنڈکٹو کارکردگی کو بہتر بناتے ہیں۔
3.4.1 ٪ ٹاپکون سے زیادہ فرنٹ سائیڈ آؤٹ پٹ
اس کے HJT فن تعمیر اور بہتر الیکٹران کی نقل و حرکت کی بدولت ، اس پینل نے فرنٹ سائیڈ پاور جنریشن میں ٹاپکن ماڈیولز کو 4.1 فیصد سے بہتر بنا دیا ہے ، جس سے یہ خلائی مجبوری تنصیبات کے لئے مثالی ہے۔
4. عمدہ استحکام اور قابل اعتماد
بو حوصلہ افزائی ہراس (B 0- ڑککن) کو ختم کرنے کے لئے بوران سے پاک مواد کے ساتھ انجنیئر ، یہ لیٹیڈ اور پی آئی ڈی کے لئے مضبوط مزاحمت پیش کرتا ہے۔ کم سالانہ انحطاط کی شرح (<0.3%) ensures long-term energy yield stability.
زیادہ سے زیادہ توانائی کی فصل کے لئے 5.95 ٪ بائیفالیٹی
اعلی بائیفیسیلیٹی پینل کو اس کے فرنٹ سائیڈ آؤٹ پٹ کا 95 فیصد تک عکاسی والی روشنی سے پیدا کرنے کی اجازت دیتی ہے ، جس سے زمینی ماونٹڈ اور ٹریکنگ سسٹم میں توانائی کی پیداوار میں نمایاں اضافہ ہوتا ہے۔
ایس ٹی سی میں برقی پیرامیٹرز
|
ماڈل |
جام 132 ڈی -770 |
جام 132 ڈی -775 |
جام 132 ڈی -780 |
جام 132 ڈی -785 |
جام 132 ڈی -790 |
جام 132 ڈی -795 |
جام 132 ڈی -800 |
|
پاور رواداری (0 ~ +5 w) |
ایس ٹی سی |
ایس ٹی سی |
ایس ٹی سی |
ایس ٹی سی |
ایس ٹی سی |
ایس ٹی سی |
ایس ٹی سی |
|
PMAX |
770W |
775W |
780W |
785W |
790W |
795W |
800W |
|
vmp |
44.10V |
44.25V |
44.40V |
44.55V |
44.71V |
44.87V |
45.02V |
|
imp |
17.47A |
17.52A |
17.57A |
17.62A |
17.67A |
17.72A |
17.77A |
|
VOC |
51.72V |
51.82V |
51.92V |
52.02V |
52.12V |
52.22V |
52.32V |
|
isc |
18.09A |
18.12A |
18.16A |
18.21A |
18.27A |
18.33A |
18.40A |
|
پینل کی کارکردگی |
24.13% |
24.19% |
24.23% |
24.27% |
24.31% |
24.35% |
24.39% |
ایس ٹی سی (معیاری ٹیسٹ کے حالات): شعاع ریزی 1000 ڈبلیو/㎡ ، سیل درجہ حرارت 25 ڈگری ، ایئر ماس 1.5۔
بی ایس ٹی سی میں برقی پیرامیٹرز
|
ماڈل |
جام 132 ڈی -770 |
جام 132 ڈی -775 |
جام 132 ڈی -780 |
جام 132 ڈی -785 |
جام 132 ڈی -790 |
جام 132 ڈی -795 |
جام 132 ڈی -800 |
|
پاور رواداری (0 ~ +5 w) |
بی ایس ٹی سی |
بی ایس ٹی سی |
بی ایس ٹی سی |
بی ایس ٹی سی |
بی ایس ٹی سی |
بی ایس ٹی سی |
بی ایس ٹی سی |
|
PMAX |
810W |
815W |
820W |
825W |
830W |
835W |
840W |
|
vmp |
42.59V |
42.74V |
42.89V |
43.04V |
43.19V |
43.34V |
43.49V |
|
imp |
18.31A |
18.67A |
18.71A |
18.74A |
18.77A |
18.81A |
18.85A |
|
VOC |
50.84V |
51.41V |
51.46V |
51.51V |
51.55V |
51.59V |
51.64V |
|
isc |
19.27A |
19.86A |
19.89A |
19.92A |
19.96A |
19.99A |
20.04A |
بی ایس ٹی سی (بائفیسیل معیاری ٹیسٹ کے حالات): فرنٹ سائڈ شعاع ریزی 1000 ڈبلیو/㎡ ، بیک سائیڈ ریفلیکشن شعاع ریزی 135 ڈبلیو/㎡ ، ایئر ماس 1.5 ، محیطی درجہ حرارت 25 ڈگری۔
800W شمسی پینل تیار کرنے کا عمل
1. سلیکن ویفر کی تیاری
مادی انتخاب: BO حوصلہ افزائی ہراس (B 0- ڑککن) کو ختم کرنے کے لئے 210 ملی میٹر N-قسم monocrystalline سلیکن وافرز (کم بوران آکسیجن مواد) استعمال کرتا ہے۔
سطح کی بناوٹ: روشنی کو بڑھانے کے ل micro مائکرو سے چلنے والی سطح بنانے کے لئے اینچنگ۔
2. HJT سیل مینوفیکچرنگ
غیر سی پرتیں جمع:
A-SI پرتیں: پلازما سے بہتر کیمیائی بخارات جمع (PECVD) کے ذریعہ ویفر کے دونوں اطراف میں ہائیڈروجنیٹڈ امورفوس سلیکن (A-SI: H) کی جمع۔ یہ موثر چارج علیحدگی کے لئے heterojunction ڈھانچہ تشکیل دیتا ہے۔
ٹی سی او کی کوٹنگ: سطح کی بحالی کو کم کرنے اور چالکتا کو بہتر بنانے کے ل sp اسپٹرنگ کے ذریعہ شفاف کوندکٹو آکسائڈ (ٹی سی او) پرتیں (جیسے ، آئی ٹی او یا زیڈنو) کا اطلاق ہوتا ہے۔
دھات کاری:
اسکرین پرنٹنگ: مزاحمت کو کم سے کم کرنے اور موجودہ مجموعہ کو بہتر بنانے کے ل front فرنٹ سائیڈ الیکٹروڈس (18 بی بی بس بار) کے لئے سلور لیپت تانبے کے پیسٹ کی اسٹینسل پرنٹنگ۔
پیچھے کی طرف رابطے: عقبی رابطوں کے لئے لیزر خاتمہ اور دھات کی چڑھانا۔
3. نصف کٹ سیل پروسیسنگ
لیزر کاٹنے: اندرونی مزاحمت کو کم کرنے اور شیڈنگ رواداری کو بہتر بنانے کے لئے ویفرز کو آدھے خلیوں میں تقسیم کیا جاتا ہے۔
باہمی ربط: سولڈرنگ یا کوندکٹو چپکنے والی چیزوں کا استعمال کرتے ہوئے ، پتلی چاندی سے لیپت تانبے کے ربن سیریز/متوازی میں آدھے خلیوں کو جوڑتے ہیں۔
4. ماڈیول اسمبلی
ٹکڑے ٹکڑے:
پرتوں کو اسٹیکنگ: خلیوں کو فرنٹ شیشے ، ایوا انکیپسولنٹ ، اور بیک شیٹ (یا دوہری شیشے کے لئے دوہری گلاس) کے درمیان سینڈویچ کیا جاتا ہے۔
ویکیوم لیمینیشن: اعلی درجہ حرارت پریسنگ (140-150 ڈگری) بانڈز ایک ساتھ ، ہرمیٹک سگ ماہی کو یقینی بناتے ہوئے۔
فریم اور جنکشن باکس: میکانکی مدد اور بجلی کے رابطوں کے لئے بائی پاس ڈایڈس والے ایلومینیم فریم اور جنکشن بکس شامل کیے جاتے ہیں۔
جانچ اور کوالٹی کنٹرول
بجلی کی جانچ: بجلی کی پیداوار (800W تک) ، کارکردگی (24.39 ٪) ، اور بائفاسیلیٹی (95 ٪) کی توثیق کرنے کے لئے IV وکر پیمائش۔
قابل اعتماد ٹیسٹ:
تھرمل سائیکلنگ: درجہ حرارت کی انتہا کی نقالی کرنے کے لئے تیز عمر بڑھنے۔
نمی سے آزادانہ جانچ: اعلی نمی اور منجمد حالات کی نمائش۔
UV مزاحمت: انحطاط کا اندازہ کرنے کے لئے UV روشنی کی نمائش۔
اینٹی پی آئی ڈی/لیٹ آئی ڈی کی توثیق: ممکنہ حوصلہ افزائی ہراس اور روشنی سے متاثرہ انحطاط کے خلاف مزاحمت کی تصدیق کے ل high ہائی وولٹیج اور تھرمل تناؤ کے تحت جانچ۔
5. اس عمل میں بنے ہوئے ککی فوائد
کم درجہ حرارت کا عمل: HJT's<200°C manufacturing avoids thermal stress on silicon, reducing defects.
چاندی سے لیپت تانبے کے ربن: الیکٹروڈ کے لئے لاگت سے موثر اور اعلی کنڈکٹیویٹی حل۔
ڈبل گلاس ڈیزائن: استحکام اور بائفاسیل لائٹ کیپچر کو بڑھاتا ہے۔
یہ مربوط عمل اس بات کو یقینی بناتا ہے کہ ماڈیول اعلی توانائی کی پیداوار ، طویل مدتی وشوسنییتا اور اعلی کارکردگی کو ٹاپکون یا پی ای آر سی ٹیکنالوجیز کے مقابلے میں اعلی کارکردگی فراہم کرتا ہے۔
jisgun 800W شمسی ماڈیول ٹرانسپورٹیشن لاجسٹک حل
جینگسن نے 800W شمسی ماڈیولز کی نقل و حمل کی ضروریات کو پورا کرنے کے لئے ایک عالمی ذہین لاجسٹک سسٹم تشکیل دیا ہے ، جس میں جدید پیکیجنگ ٹکنالوجی اور سپلائی چین مینجمنٹ کا امتزاج کیا گیا ہے تاکہ یہ یقینی بنایا جاسکے کہ مصنوعات صارفین کو محفوظ طریقے سے ، موثر اور مستقل طور پر فراہم کی جائیں۔
1. عالمی نقل و حمل کا نیٹ ورک اور ملٹی موڈل ٹرانسپورٹ
منتقلی اور نقل و حمل کے خطرات کی تعداد کو کم کرنے کے لئے AI الگورتھم کی بنیاد پر زیادہ سے زیادہ راستے کی منصوبہ بندی کریں۔
2. ذہین پیکیجنگ اور حفاظت سے تحفظ
ایج کمک لگانے والی سٹرپس کے ساتھ ، ری سائیکل ہنیکومب کارٹن + ای پی ای فوم استر کو اپنائیں ، ISTA 3E بین الاقوامی نقل و حمل کا امتحان پاس کریں تاکہ یہ یقینی بنایا جاسکے کہ گرنے اور کمپن کے دوران ماڈیول برقرار ہیں۔
3. اپنی مرضی کے مطابق خدمت
اونچائی اور انتہائی سردی/گرم علاقوں کے لئے درجہ حرارت پر قابو پانے والے کنٹینر کی نقل و حمل فراہم کریں۔
فوٹو وولٹک پاور اسٹیشن پروجیکٹ سائٹ پر ان لوڈنگ رہنمائی اور انسٹالیشن سپورٹ فراہم کریں۔
لچکدار ادائیگی: مختلف صارفین کی ضروریات کو پورا کرنے کے لئے CIF ، FOB ، EXW اور دیگر تجارتی شرائط سپورٹ کریں۔
سوالات
س: جینگسن کے 800W شمسی پینل کے کلیدی کارکردگی کے پیرامیٹرز کیا ہیں؟
س: جینگسن کی ایچ جے ٹی ٹکنالوجی کا موازنہ ٹاپکون سے کیسے ہوتا ہے؟
س: پینل کی طویل مدتی وشوسنییتا اور انحطاط کی شرح کیا ہے؟
س: کیا 800W پینل رہائشی چھت کی تنصیبات کے لئے موزوں ہے؟
س: فروخت کے بعد کیا وارنٹی اور اس کے بعد کی مدد فراہم کرتی ہے؟
ڈاؤن لوڈ، اتارنا ٹیگ: 800 واٹ سولر پینل ، چین 800 واٹ شمسی پینل مینوفیکچررز ، سپلائرز ، فیکٹری